电子器件产品

Power Semiconductor
Substrates

功率半导体基板

应用了热电半导体制造技术的散热绝缘基板

电路板一般在低功率的家电产品和PC等中多使用于有机系基板和金属基板,作为处理大功率的功率模块的散热绝缘基板,
利用了氧化铝、氮化铝、氮化硅的基板。
特别是随着HEV和EV车销量的增加,变压器/转换器的功率模块用氮化硅基板受到关注,本公司除了传统产品的DCB基板之外
(直接覆铜),我们还开始量产新产品AMB基板(活性金属钎焊)它有助于小型化・节能化并期待着今后的成长。

DCB Direct Copper Bonding

DCB产品特性
材料
氮化锆陶瓷
项目
成分
厚度
密度
导热系数
抗弯强度
介电常数
介电损耗
击穿电压
体积电阻率
数值
90% Al / ZrO₂
0.32, 0.25
3.95
27
600
10.5
0.0003
20
1*1014
单位
%
mm
g/cm³
W/m.k
Mpa
1MHz
1MHz
kV/mm
Ωcm
氮化铝陶瓷
成分
厚度
密度
导热系数
抗弯强度
介电常数
介电损耗
击穿电压
体积电阻率
96% Al₂O₃
1.00,0.89,0.76,0.63,
0.5,0.38,0.32,0.25
3.73
24
350~450
9.8
0.0003
20
1*1014
%
mm
g/cm³
W/m.k
Mpa
1MHz
1MHz
kV/mm
Ωcm
材质
纯度
硬度
电导率
厚度
无氧铜
99.99
90~110
58.6
0.40,0.30,0.25,
0.20,0.127
 
%
HV
MS/m
mm
DCB基板性能
最大尺寸
最大可用面积
线距
线宽
铜层剥离强度(最小值)
可焊性
交付方式
表面状态
138*190
127*178
根据不同铜厚而定,详见设计规范
+0.3/-0.2
>5
>95%
小枚交付/大板交付
裸铜/阻焊/化学镀镍/
化学镀镍金/银镀
mm
mm
mm
mm
N/mm
%
 
µm

AMB Active Metal Brazing

AMB产品特性
材料
氮化硅陶瓷
项目
成分
厚度
密度
导热系数
抗弯强度
介电常数
介电损耗
击穿电压
体积电阻率
数值
96% SiN
0.32, 0.25
3.22
A90
700
8
0.001
20
1*1014
单位
%
mm
g/cm³
W/m.k
Mpa
1MHz
1MHz
kV/mm
Ωcm
氮化铝陶瓷
成分
厚度
密度
导热系数
抗弯强度
介电常数
介电损耗
击穿电压
体积电阻率
96% AlN
1.0,0.63,0.38,0.25
3.3
170
350
9
0.0005
20
1*1014
%
mm
g/cm³
W/m.k
Mpa
1MHz
1MHz
kV/mm
Ωcm
材质
纯度
硬度
电导率
厚度
无氧铜
99.99
60~110
58.6
0.8,0.5,0.4,0.3,0.25,0.2
 
%
HV
MS/m
mm
AMB基板性能
最大尺寸
最大可用面积
线距
线宽
铜层剥离强度(最小值)
可焊性
交付方式
表面状态
138*190
127*178
根据不同铜厚而定,详见设计规范
+0.3/-0.2
>10
>95%
小枚交付/大板交付
裸铜/阻焊/化学镀镍/
化学镀镍金/银镀
mm
mm
mm
mm
N/mm
%
 
µm
功率半导体基板事业集团

FerroTec Shanghai

上海 上海申和热磁电子有限公司

地址
上海市宝山城市工业园区山连路181号

地图

FerroTec Dongtai

东台 江苏富乐德半导体科技有限公司

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