電子デバイス事業

Power Semiconductor
DCB & AMB Substrates

パワー半導体用DCB & AMB基板

サーモモジュール製造技術を応用した放熱用絶縁基板

回路基板では一般的に低電力の家電製品やPCなどでは有機系基板や金属基板が多く使用されていますが、
大電力を扱うパワーモジュールの放熱絶縁基板としてはアルミナ、窒化アルミ、窒化ケイ素の基板が利用されます。
特に、HEVやEV車の販売台数増加に伴うインバータ/コンバータのパワーモジュール向けでは窒化ケイ素基板が
注目されており、弊社では従来製品のDCB(Direct Copper Bonding)基板に加えて、新製品となるAMB
(Active Metal Brazing)基板の量産を開始しました。
小型化・省エネ化に寄与し、今後の成長が期待されています。

DCB Direct Copper Bonding

DCB製品特性
材料
アルミナZTA
項目
成分
厚み
密度
熱伝導性
杭折強度
比誘電率
誘電損失
絶縁耐力
体積抵抗
数値
90% Al / ZrO₂
0.32, 0.25
3.95
27
600
10.5
0.0003
20
1*1014
単位
%
mm
g/cm³
W/m.k
Mpa
1MHz
1MHz
kV/mm
Ωcm
アルミナ
成分
厚み
密度
熱伝導性
杭折強度
比誘電率
誘電損失
絶縁耐力
体積抵抗
96% Al₂O₃
1.00,0.89,0.76,0.63,
0.5,0.38,0.32,0.25
3.73
24
350~450
9.8
0.0003
20
1*1014
%
mm
g/cm³
W/m.k
Mpa
1MHz
1MHz
kV/mm
Ωcm
材質
純度
硬度
伝導率
厚み
無酸素銅
99.99
90~110
58.6
0.40,0.30,0.25,
0.20,0.127
 
%
HV
MS/m
mm
DCB基板性能
最大寸法
最大有効面積
レジスト間ピッチ
レジスト幅
剥離強度
半田付け性
出荷形態
表面状態
138*190
127*178
当社デザインルールに沿う
+0.3/-0.2
>5
>95%
個片納入/MC納入
銅パターン/レジスト/Niメッキ/
Ni金メッキ/銀メッキ
mm
mm
mm
mm
N/mm
%
 
µm

AMB Active Metal Brazing

AMB製品特性
材料
窒化ケイ素
項目
成分
厚み
密度
熱伝導性
杭折強度
比誘電率
誘電損失
絶縁耐力
体積抵抗
数値
96% SiN
0.32, 0.25
3.22
A90
700
8
0.001
20
1*1014
単位
%
mm
g/cm³
W/m.k
Mpa
1MHz
1MHz
kV/mm
Ωcm
窒化アルミ
成分
厚み
密度
熱伝導性
杭折強度
比誘電率
誘電損失
絶縁耐力
体積抵抗
96% AlN
1.0,0.63,0.38,0.25
3.3
170
350
9
0.0005
20
1*1014
%
mm
g/cm³
W/m.k
Mpa
1MHz
1MHz
kV/mm
Ωcm
材質
純度
硬度
伝導率
厚み
無酸素銅
99.99
60~110
58.6
0.8,0.5,0.4,0.3,0.25,0.2
 
%
HV
MS/m
mm
AMB基板性能
最大寸法
最大有効面積
レジスト間ピッチ
レジスト幅
剥離強度
半田付け性
出荷形態
表面状態
138*190
127*178
当社デザインルールに沿う
+0.3/-0.2
>10
>95%
個片納入/MC納入
銅パターン/レジスト/Niメッキ/
Ni金メッキ/銀メッキ
mm
mm
mm
mm
N/mm
%
 
µm
パワー半導体用基板事業グループ

FerroTec Shanghai

上海 上海申和熱磁電子有限公司

住所
中国上海市宝山城市工業園区山連路181号

Map

FerroTec Dongtai

東台 江蘇富楽徳半導体科技有限公司

住所
江蘇省東台市城東新区鴻達路18号

Map
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