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Semiconductor Single Crystal Silicon
Ingot Puller

半導体用単結晶引き上げ装置

FT-CZ1200Se/1400Se

半導体工程で培った当社のコア技術が生かされた単結晶インゴットの製造装置です。原料のポリシリコンを真空電気炉内で溶かしたシリコン融液を引き上げながらインゴット形状を作ります。装置内の真空状態を維持しているのは、自社技術の真空シール。原料を高温で溶かすカーボンヒーターや、その受け皿となるるつぼも当社の製品です。単結晶モジュールの世界トップクラスの高変換効率化を下支えしています。

寸法図

規格表

		半導体用途 FT-CZ1200Se	半導体用途 FT-CZ1400Se	備考 (型式2種類)
場所	周囲温度	15~30 ℃	15~30 ℃
	周囲湿度	65% (結露と腐食性ガス無し)	65% (結露と腐食性ガス無し)
	清潔度	10000 級(ISO6)	10000 級(ISO6)
	騒音	75db	75db
	地盤	3000kg/ m2以上	3000kg/ m2以上
電源	定格電圧	3P 380VAC±10% 50/60Hz	3P 380VAC±10% 50/60Hz
	定格容量	320kVA	420kVA （主電源と副電源の合算）
	定格電流	500A	650A （主電源と副電源の合算）
冷却水	流量範囲	350 ～ 400L/min	500L/min
冷却水	供給圧力	0.3 ～ 0.4MPa	0.3 ～ 0.4MPa
設備のパラメーター	設備高度	<8991mm	<9700mm	Δトップチャンバーの筒体の高さにより決める
	設備重量	約25T	約26T	磁場無し
	炉体材質	304L/316L	304L/316L
	炉内径	1200mm	1400mm
	隔離バルブと炉蓋の繋ぎ部分の内径	340mm	400mm	Δ
	極限真空度	<1Pa	<1Pa
	リーク量	5Pa/hr	5Pa/hr
	種の行程	約4500mm	約5800mm
	種の低速昇降速度	0.08 ～ 7.9 mm/min	0.08 ～ 7.9 mm/min
	種の回転速度	0.1 ～ 25rpm	0.1 ～ 25rpm	結晶体の共振点以外
	種の重量	MAX 240Kg	MAX 600Kg	Δ
	坩堝行程	700mm	680mm
	坩堝の低速昇降速度	0.03 ～ 3.0 mm/min	0.016 ～ 1.6 mm/min
	坩堝の回転速度	0.1 ～ 20rpm	0.1 ～ 20rpm
	坩堝軸の許容重量	MAX 600Kg	MAX 1000Kg	Δ顧客のご要望に応じて許容重量を大きくする可能
	側面加熱器の昇降行程	250mm	250mm
	側面加熱器の昇降測度	MAX 200mm/min	MAX 200mm/min
	磁場の昇降行程	1250mm	1500mm
	磁場の昇降測度	MAX 400mm/min	MAX 400mm/min
	磁場機構の許容重量	1000Kg	10000Kg	Δ